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JH5510 Bl Test System ⾼速DRAM⽼化测试设备主要针对DRAM芯片的高速、宽温度范围、大容量动态老化测试。解决了DRAM可靠性和车规级器件的长时间、宽温测试的难题。支持最大24个老化单板并行测试，速率最高可升级200MHz，同时可以支持RDBI功能。 已经完成迭代支持UFS4.1的BI测试，UFS5.0适配迭代中。