JHP550专为碳化硅(SiC)器件苛刻测试要求而设计的高精度、高效率、高可靠性测试解决方案,针对碳化硅MOSFET的栅极氧化层,通过监测栅极-漏电流的变化,评估器件在高温、高电场条件下的长期稳定性和可靠性。