武汉精测电子集团股份有限公司  

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用于三维形貌量测系列专为先进半导体制造工艺开发，可精准表征FinFET器件、三维鳍式晶体管结构，以及垂直堆叠NAND闪存、DRAM存储单元等复杂三维结构的形貌参数

该系列产品深度融合光学干涉技术与自主研发的智能建模算法，首创实现纳米级结构的多维度同步解析，可精准监测栅极宽度、侧壁倾角、光刻胶/硬掩模层高等关键工艺参数，其三维形貌重构精度达亚纳米级，对工艺波动敏感度较传统设备提升3倍。